由于體材料的生長(zhǎng)非常困難，目前GaN基材料主要都是通過(guò)異質(zhì)外延生長(zhǎng)得到的，由于價(jià)格的優(yōu)勢(shì)，藍(lán)寶石是最常用的襯底。

絕大多數(shù)的GaN基材料都是極性的c面外延片。在電子器件的運(yùn)用上，正是需要其沿著C軸方向的極化效應(yīng)產(chǎn)生的二維電子氣。但是在光電器件的運(yùn)用中，極化效應(yīng)會(huì)引起內(nèi)建電場(chǎng)，使得能帶彎曲、傾斜、能級(jí)位置發(fā)生改變。而且較強(qiáng)的極化電場(chǎng)還會(huì)使正負(fù)載流子在空間上分離，電子與空穴波函數(shù)的交迭變小，從而使材料的發(fā)光效率大大降低。要避免極化效應(yīng)，提高發(fā)光效率的最根本方法就是生長(zhǎng)非極性的材料，所以除了適合于電子器件的常規(guī)C面GaN之外，生長(zhǎng)非極性的材料也是這一領(lǐng)域的一個(gè)熱點(diǎn)。而半極性GaN材料，和極性材料相比量子限制斯塔克效應(yīng)可以降低80%，和非極性材料相比有更大的生長(zhǎng)工藝窗口，也具有非常重要的研究意義。