?一般半導(dǎo)體激光器有源層厚度約為0.1-0.3um,當(dāng)有源層厚度減薄到玻爾半徑或德布羅意波長數(shù)量級時,就出現(xiàn)量子尺寸效應(yīng),這時載流子被限制在有源層構(gòu)成的勢阱內(nèi),該勢阱稱為量子阱。量子阱是窄帶隙超薄層被夾在兩個寬帶隙勢壘薄層之間。量子阱
?一、量子阱指由2種不同的半導(dǎo)體材料相間排列形成的、具有明顯量子限域效應(yīng)的電子或空穴的勢阱。量子阱器件,即指采用量子阱材料作為有源區(qū)的光電子器件。
半導(dǎo)體是具有帶隙的,因此就可以用來發(fā)出激光。
實用的激光器具有三個要素:泵浦源、工作物質(zhì)、諧振腔。泵浦源就像電源一樣,給工作物質(zhì)能量讓他去發(fā)出激光;諧振腔讓激光疊加在一起,得到更高功率的光;但是,核心還是工作物質(zhì)——能夠?qū)崿F(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的能級結(jié)構(gòu)。
必須要能夠?qū)崿F(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn),是因為激光是屬于受激輻射,但存在其他的躍遷過程(自發(fā)輻射、弛豫等),只有受激輻射的過程足夠多,才能表現(xiàn)出激光。
為了實現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn),常見的能級結(jié)構(gòu)是三能級結(jié)構(gòu)。這是因為可以控制能級之間的各種過程。
比如,實現(xiàn)激光。通過泵浦源將電子從低能級泵浦到高能級上;電子在高能級不穩(wěn)定,通過添加一個較為穩(wěn)定的中能級,讓電子停在中能級上;等電子夠多了,一次性受激輻射下來,發(fā)出的光就很強了;在諧振腔的作用下,不斷放大,就是受激輻射放大的光——激光。
構(gòu)建三能級結(jié)構(gòu)有兩種方式:
1).調(diào)節(jié)材料的微觀結(jié)構(gòu):摻雜。
半導(dǎo)體本來具有帶隙,就是低能級加高能級;那只需要加一個穩(wěn)定的,能留住電子的中能級就行,找一種雜質(zhì)的能級加上去。雜質(zhì)的選擇,這個就要看具體情況了。
2).調(diào)節(jié)材料的宏觀結(jié)構(gòu):量子阱。
二、量子阱
選擇兩種能級不同的半導(dǎo)體,連在一起,這樣交界處(所謂的結(jié))的能級就至少有三個了。而如果高能級+中能級+高能級的組合,這就是頂部量子阱:中能級就是井底,中能級和高能級的差距是勢壘(barrier)。多重復(fù)疊幾層不同的材料,就是多量子阱了。
量子阱的構(gòu)造 :
量子阱器件的基本結(jié)構(gòu)是兩塊N型GaAs附于兩端,而中間有一個薄層,這個薄層的結(jié)構(gòu)由AlGaAs-GaAs-AlGaAs的復(fù)合形式組成。在未加偏壓時,各個區(qū)域的勢能與中間的GaAs對應(yīng)的區(qū)域形成了一個勢阱,故稱為量子阱。電子的運動路徑是從左邊的N型區(qū)(發(fā)射極)進入右邊的N型區(qū)(集電極),中間必須通過AlGaAs層進入量子阱,然后再穿透另一層AlGaAs。
如果材料尺寸足夠薄,量子阱之間能夠耦合到一起(電子就可以隨意越過勢壘),這種特殊情況叫做超晶格。
高質(zhì)量的量子阱樣品都是用分子束外延或金屬有機化學(xué)汽相沉淀方法外延生長兩種不同的材料而成的。
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