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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor  ）指互補(bǔ)金屬氧化物（PMOS管和NMOS管）共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝。
CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。CMOS中的C表示“互補(bǔ)”，即將NMOS器件和PMOS器件同時(shí)制作在同一硅襯底上，制作CMOS集成電路。
特點(diǎn)：
CMOS集成電路具有功耗低、速度快、抗干擾能力強(qiáng)、集成度高等眾多優(yōu)點(diǎn)。它的最大特點(diǎn)的是低功耗，由于COMS中一對(duì)MOS組成的門電路在瞬間看，要么PMOS導(dǎo)通，要么NMOS導(dǎo)通，要么都截至，比線性的三極管（BJT）效率要高得多，因此功耗很低！

CMOS工藝目前已成為當(dāng)前大規(guī)模集成電路的主流工藝技術(shù)，絕大部分集成電路都是用CMOS工藝制造的。

工藝：
CMOS電路中既包含NMOS晶體管也包含PMOS晶體管，NMOS晶體管是做在P型硅襯底上的，而PMOS晶體管是做在N型硅襯底上的，要將兩種晶體管都做在同一個(gè)硅襯底上，就需要在硅襯底上制作一塊反型區(qū)域，該區(qū)域被稱為“阱”。根據(jù)阱的不同，CMOS工藝分為P阱CMOS工藝、N阱CMOS工藝以及雙阱CMOS工藝。其中N阱CMOS工藝由于工藝簡單、電路性能較P阱CMOS工藝更優(yōu)，從而獲得廣泛的應(yīng)用。